Im Rahmen der Fachveranstaltung Storage Field Day 24 hat Solidigm die kommende vierte Generation des von Intel übernommenen QLC-NAND-Flash mit Floating-Gate-Architektur angekündigt. Die Zahl der Ebenen (Layer) steigt von 144 auf 192 für noch mehr Bit pro Fläche. Zudem soll das wahlfreie Schreiben massiv beschleunigt werden.